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碳化硅化學氣相涂層/生長爐
碳化硅化學氣相涂層/生長爐
產品描述：
用于半導體領域的石墨或陶瓷表面的化學氣相涂層或生長。
應用范圍：
熱彎模具、導流筒、半導體坩堝、外延載盤、晶舟、爐管等。產品純度≥99.999%/99.9999%。

碳化硅化學氣相涂層/生長爐技術特征

采用先進的進氣控制技術，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力，爐膛內沉積壓力穩定，壓力波動小；

多通道工藝氣路，配合旋轉料臺，無沉積死角；

溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設計，溫度場與氣流場的均勻性好；

多級尾氣處理系統，能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產物，環境友好；

爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質，熱場材料采用低灰分材質，嚴格把控進氣管路材質（選用EP級材質）；

適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。


碳化硅化學氣相涂層/生長爐產品規格

參數\型號HCVD-101015-SiCHCVD-121220-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1015-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1315-SiCVCVD-1520-SiC
工作區尺寸 W×H×L（mm）1000×1000×15001200×1200×2000600×800800×12001000×15001200×18001300×15001500×2000
最高溫度（℃）1500
溫度均勻性（℃）±10~±20±5~±20
極限真空度（Pa）1-100
壓升率（Pa/h）0.67

以上參數可根據工藝要求進行調整，不作為驗收依據，具體以技術方案和協議為準。

碳化硅化學氣相涂層/生長爐配置選擇

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